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5962R1723301V9A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

5962R1723301V9A
廠商型號

5962R1723301V9A

功能描述

Radiation Hardened Low-Side GaN FET Driver

文件大小

1.11304 Mbytes

頁面數(shù)量

20

生產廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-20 17:54:00

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5962R1723301V9A規(guī)格書詳情

特性 Features

? Wide operating voltage range of 4.5V to 13.2V

? Up to 14.7V logic inputs (regardless of VDD level)

? Inverting and non-inverting inputs

? Optimized to drive enhancement mode GaN FETs

? Internal 4.5V regulated gate drive voltage

? Independent outputs for adjustable

turn-on/turn-off speeds

? Full military temperature range operation

? TA = -55°C to +125°C

? TJ = -55°C to +150°C

? Radiation acceptance testing - ISL70040SEH

? HDR (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)

? LDR (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? Radiation acceptance testing - ISL73040SEH

? LDR (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? SEE hardness (see the SEE Report for details)

? No SEB/L LETTH, VDD = 14.7V: 86MeV?cm2/mg

? No SET, LETTH, VDD = 13.2V: 86MeV?cm2/mg

? Electrically screened to DLA SMD 5962-17233

Applications

? Flyback and forward converters

? Boost and PFC converters

? Secondary synchronous FET drivers

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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