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55GN01MA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

55GN01MA
廠商型號(hào)

55GN01MA

參數(shù)屬性

55GN01MA 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

功能描述

RF Transistor 10V, 70mA, fT=5.5GHz, NPN Single MCP
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

308.02 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-6 16:59:00

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55GN01MA規(guī)格書(shū)詳情

55GN01MA屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的55GN01MA晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

RF Transistor 10V, 70mA, fT=5.5GHz, NPN Single MCP

特性 Features

? High cut-off frequency : fT=5.5GHz typ

? High gain : ?S21e?2=10dB typ (f=1GHz)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    55GN01MA-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    4.5GHz ~ 5.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.9dB @ 1GHz

  • 增益:

    10dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-MCP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
SOT-323
531054
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
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