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4N600T中文資料etc未分類制造商數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

4N600T
廠商型號(hào)

4N600T

功能描述

N-Channel Field Effect Transistor

文件大小

36.81 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ETC1 List of Unclassifed Manufacturers

中文名稱

etc未分類制造商 未分類制造商

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

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4N600T規(guī)格書詳情

VDSS = 600V

RDS (ON) = 1.9 ?

ID = 4.0A

描述 Description

The Bay Linear n-channel power field effect transistors are produced using high cell density DMOS technology , These devices are particularly suited for high voltage applications such as automotive and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transistors are needed.

特性 Features

? Critical DC Electrical parameters specified at elevated Temp.

? Rugged internal source-drain diode can eliminate the need for external Zener diode transient suppresser

? Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    4N600T

  • 功能描述:

    N-Channel Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
AM
24+
NA/
5250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
士蘭微
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
REASUNOS
1948+
TO-220F
18562
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
詢價(jià)
士蘭微
21+
TO-252
425300
詢價(jià)
AM
1229+
TO220F
2000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
MOT
97
50
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣中!!
詢價(jià)
AM
21+
TO220F
2000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
KTP
2020+
TO-220F
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
UTC/友順
24+
NA
8000
只做原裝,歡迎詢價(jià),量大價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
IR
25+23+
TO-220
24944
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢價(jià)

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