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425M47592RG3數(shù)據(jù)手冊(cè)電容器的薄膜電容器規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

425M47592RG3

參數(shù)屬性

425M47592RG3 封裝/外殼為徑向;包裝為散裝;類別為電容器的薄膜電容器;425M47592RG3應(yīng)用范圍:音頻;產(chǎn)品描述:CAP FILM 4.7UF 10% 250VDC RADIAL

功能描述

薄膜電容
CAP FILM 4.7UF 10% 250VDC RADIAL

封裝外殼

徑向

制造商

CDE Cornell Dubilier Electronics

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-20 11:09:00

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425M47592RG3規(guī)格書詳情

簡介

425M47592RG3屬于電容器的薄膜電容器。由制造生產(chǎn)的425M47592RG3薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲(chǔ)電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF,電壓為 2.5 V 至 100 V,封裝尺寸為 0201 至 1210,容差為 ±0.01 pF 至 ±5%。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :425M47592RG3

  • 生產(chǎn)廠家

    :CDE

  • 精度

    :±10%

  • 額定電壓

    :250V

  • 介電材料

    :金屬化聚酯

  • 工作溫度

    :-55℃~+85℃

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
BUSSMANN巴斯曼熔斷器
23+
Fuse
5000
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道??商峁┐罅繋齑?詳
詢價(jià)
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2022+
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全新原裝 貨期兩周
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BUSSMANN/巴斯曼
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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BUSSMANN巴斯曼熔斷器
2022+
425A/500V
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長期供應(yīng),價(jià)格優(yōu)勢(shì),全新原裝,支持實(shí)單,
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