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3DD103C中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

3DD103C
廠商型號

3DD103C

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

272.57 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
ISC
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-3 20:00:00

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3DD103C規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 500V(Min.)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 4V(Max)@ IC= 3A

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier , DC-DC converts

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
華晶
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