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DS3650J	文件：217.04 Kbytes Page：8 Pages	QuadDifferentialLineReceivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
DS3650M	文件：217.04 Kbytes Page：8 Pages	QuadDifferentialLineReceivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
DS3650M	文件：197.73 Kbytes Page：10 Pages	QuadDifferentialLineReceivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
DS3650N	文件：197.73 Kbytes Page：10 Pages	QuadDifferentialLineReceivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
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ERS3650GTS	文件：224.29 Kbytes Page：7 Pages	EthernetRoutingSwitch FeaturesandCapabilities ?Non-blocking,wire-speedswitchingarchitecture. ?IntegrateddesignthatisoptimizedforlowlatencyandhighQuality-of-Service(includingQoS-awareStackableChassisinterfaces). ?Feature-richsupportforconventionalVLAN,Multi-LinkTrunking,SpanningTreetec	EXTREMENETWORKS Extreme Networks.	EXTREMENETWORKS
ERS3650GTS-PWR+	文件：224.29 Kbytes Page：7 Pages	EthernetRoutingSwitch FeaturesandCapabilities ?Non-blocking,wire-speedswitchingarchitecture. ?IntegrateddesignthatisoptimizedforlowlatencyandhighQuality-of-Service(includingQoS-awareStackableChassisinterfaces). ?Feature-richsupportforconventionalVLAN,Multi-LinkTrunking,SpanningTreetec	EXTREMENETWORKS Extreme Networks.	EXTREMENETWORKS
EVAL-ADR3650EBZ	文件：3.98401 Mbytes Page：26 Pages	Precision,Micropower,HighCurrentOutputVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR3625ADR3630ADR3650arelowpower,highprecision voltagereferencesthatfeatureamaximumtemperaturecoefficient of3ppm/°CfortheBgradeinan8-leadMSOP.Capableof sourcingupto70mA,theADR3625ADR3630ADR3650arean exceptionalreplacementtostandardlo	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HEC3650	文件：381.29 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
HLMP-3650	文件：202.15 Kbytes Page：8 Pages	T??3/4(5mm),T-1(3mm),5Volt,12Volt,IntegratedResistorLEDLamps Description The5voltand12voltserieslampscontainanintegralcurrentlimitingresistorinserieswiththeLED.Thisallowsthelamptobedrivenfroma5volt/12voltsourcewithoutanexternalcurrentlimiter.TheredLEDsaremadefromGaAsPonaGaAssubstrate.TheHighEfciencyRedand	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO

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