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30N06VL-TM3-T中文資料友順數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

30N06VL-TM3-T
廠商型號(hào)

30N06VL-TM3-T

功能描述

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

205.67 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

UTC

中文名稱

友順

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2025-8-14 15:42:00

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30N06VL-TM3-T規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The UTC 30N06V-Q is a low voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and excellent avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at automotive applications in power supplies, high efficient DC to DC converters and battery operated products.

FEATURES

* RDS(ON) < 40m?@VGS = 10 V, ID=15A

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TRINNO
18+
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TO-252
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