30J121中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
30J121 |
| 功能描述 | TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
| 文件大小 |
294.93 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
| 中文名稱 | 東芝 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-17 16:26:00 |
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30J121規(guī)格書詳情
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
? Fourth-generation IGBT
? Enhancement mode type
? Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)
High speed: tf = 0.05 μs (typ.)
Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ.)
? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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