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30-06-G	文件：77.81 Kbytes Page：1 Pages	HERMETICALLY SEALED CRYSTAL CAN RELAY	OENINDIA OEN India Limited	OENINDIA
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DSEC30-06B	文件：134.62 Kbytes Page：5 Pages	HighPerformanceFastRecoveryDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode HiPerFRED LowLossandSoftRecoveryHighPerformanceFastRecoveryDiodeCommonCathode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Veryshortrecoverytime ●Improvedthermalbehaviour ●VerylowIrm-values ●Verysoftrecoverybehaviour ●Avalanchevol	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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DSEI30-06A	文件：79.55 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) Features ●InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ●Planarpassivatedchips ●Veryshortrecoverytime ●Extremelylowswitchinglosses ●LowIRM-values ●Softrecoverybehavior ●EpoxymeetsUL94V-0 ●VersionARisolatedandULregisteredE153432 Applications ●Antiparalleldio	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEI30-06A	文件：364.17 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES ·Guardingforovervoltageprotection ·Dualrectifierconstruction,positivecentertap ·Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ·Lowforwardvoltage,highefficiency ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Uni	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
DSEP30-06A	文件：388.59 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
DSEP30-06A	文件：68.01 Kbytes Page：3 Pages	HiPerFREDEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features ?Internationalstandardpackage ?Planarpassivatedchips ?Veryshortrecoverytime ?Extremelylowswitchinglosses ?LowIRM-values ?Softrecoverybehaviour ?EpoxymeetsUL94V-0 ?Version..RisolatedandULregisteredE153432 Applications ?Antiparalleldiodeforhighfr	IXYS IXYS Corporation	IXYS

詳細參數(shù)

型號：
30-06-G
制造商：
OENINDIA
制造商全稱：
OEN India Limited
功能描述：
HERMETICALLY SEALED CRYSTAL CAN RELAY

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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