2STW4466分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2STW4466 |
| 參數(shù)屬性 | 2STW4466 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 80V 6A TO247-3 |
| 功能描述 | High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
224.9 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-8 20:00:00 |
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2STW4466規(guī)格書詳情
2STW4466屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的2STW4466晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。
描述 Description
The device is a NPN transistor manufactured in low voltage planar technology using base island layout. The resulting transistor shows good gain linearity coupled with low VCE(sat) behaviour. Recommended for 40 W to 70 W high fidelity audio frequency amplifier output stage.
特性 Features
■ High breakdown voltage VCEO = 80 V
■ Complementary to 2STW1693
■ Typical ft = 20 MHz
■ Fully characterized at 125℃
Applications
■ Audio power amplifier
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
2STW4466
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 600mA，6A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 2A，4V
- 頻率 - 躍遷：
20MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
TRANS NPN 80V 6A TO247-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
24+ |
TO-247-3 |
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