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2ST501T

HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The2ST501TisaHighVoltageNPNsilicontransistorinmonolithicspecialDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage. ■HIGHVOLTAGESPECIALDARLINGTONSTRUCTURE ■VERYRUGGEDBIPOLARTECHNOLOGY ■HIGHOPERATIONJUNCTIONTEMPERATURE ■HIGHDCCURRENTGAIN A

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

2ST501T

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage ?HighDCCurrentGain ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Audiopoweramplifiers ?Relay&solenoiddrivers ?Motorcontrols ?Generalpurposepoweramplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2ST501T

HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR;

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

2ST501T

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN DARL 350V 4A TO220

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2ST501T

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 2mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    2000 @ 2A，2V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 350V 4A TO220

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導(dǎo)體)
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更多2ST501T供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 8:12:00

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