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2SK771-5-TB-E數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF

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廠商型號

2SK771-5-TB-E

參數(shù)屬性

2SK771-5-TB-E 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP

功能描述

JFET N-CH 20MA 200MW SCP

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-18 8:01:00

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2SK771-5-TB-E規(guī)格書詳情

簡介

2SK771-5-TB-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由制造生產(chǎn)的2SK771-5-TB-E晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會增加電流流動的阻力,這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道,因此 JFET 不需要偏置電流。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :2SK771-5-TB-E

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • 漏源電壓(Vdss)

    :40V

  • 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss)

    :5mA @ 10V

  • 漏極電流(Id) - 最大值

    :20mA

  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)

    :9pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    :200mW

  • 工作溫度

    :-

  • 安裝類型

    :表面貼裝

  • 封裝/外殼

    :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :3-CP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SANYO
2018+
SOT-23
6000
承諾正品公司可開正規(guī)增值稅票
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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onsemi(安森美)
24+
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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24+
2000
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23+
TO-3P
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原裝正品,假一罰十
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SANYO
18+
TO-92S
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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SANYO/三洋
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