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2SK3738-TL-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2SK3738-TL-E |
| 參數(shù)屬性 | 2SK3738-TL-E 封裝/外殼為SC-75，SOT-416；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 40V SC-75 |
| 功能描述 | N-Channel JFET |
| 封裝外殼 | SC-75，SOT-416 |
| 文件大小 |
467.38 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-2 23:00:00 |
| 人工找貨 | 2SK3738-TL-E價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
2SK3738-TL-E規(guī)格書詳情
2SK3738-TL-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2SK3738-TL-E晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。
特性 Features
? Small IGSS
? Small Ciss
? Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim
Applications
? Impedance conversion
? Infrared sensor
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
2SK3738-TL-E
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝：
管件
- FET 類型：
N 通道
- 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：
1.7pF @ 10V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-75，SOT-416
- 供應(yīng)商器件封裝：
SMCP
- 描述：
MOSFET N-CH 40V SC-75
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
24+ |
7350 |
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100000 |
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詢價(jià) | ||
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20+ |
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PANASONIC/松下 |
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