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2SK3562中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SK3562
廠商型號(hào)

2SK3562

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)

絲印標(biāo)識(shí)

K3562

封裝外殼

SC-67

文件大小

232.96 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-19 22:58:00

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2SK3562規(guī)格書詳情

Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.9Ω (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 600 V)

? Enhancement mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK3562

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
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