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2SK3386(0)-Z-E1-AZ

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

2SK3386-Z

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3386 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ? Low On-state Resistance RDS(on)1 = 21 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A) RDS(on)2 = 36 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 17 A) ? Low Ci

文件：241.76 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages

RENESAS

瑞薩

2SK3386-Z

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：887.27 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

DOINGTER

杜因特

2SK3386-Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：331.65 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SK3386(0)-Z-E1-AZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    34A（Tj）

  • 描述：

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Renesas Electronics America
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更多2SK3386(0)-Z-E1-AZ供應(yīng)商 更新時間2025-9-13 15:01:00

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