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2SK3269中文資料科信電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3269
廠商型號

2SK3269

功能描述

N-Channel Enhacement Mode MOSFET

文件大小

45.45 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商

KEXIN

中文名稱

科信電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-14 11:50:00

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2SK3269規(guī)格書詳情

N-Channel Enhacement Mode MOSFET

特性 Features

4.5 V drive available

Low on-state resistance

RDS(on)1=12m MAX. (VGS=10V,ID=18A)

Low gate charge

QG= 30 nC TYP. (ID=35A,VDD=16V,VGS=10V)

Built-in gate protection diode

Surface mount device available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SK3269

  • 制造商:

    PANASONIC

  • 制造商全稱:

    Panasonic Semiconductor

  • 功能描述:

    N-channel enhancement mode MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
PAN
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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