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2SK3162-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3162-E
廠商型號

2SK3162-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

88.07 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-14 23:01:00

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2SK3162-E規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low on-resistance

RDS = 60 m? typ.

? High speed switching

? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SK3162-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box Tray

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Nch MOSFET,200V,20A,60m ohm,TO-220FM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
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PANASONIC
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