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2SK3136-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SK3136-E
廠商型號(hào)

2SK3136-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

87.28 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱(chēng)

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-9-15 8:31:00

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2SK3136-E規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Low on-resistance

RDS(on) =4.5 m? typ.

? Low drive current

? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK3136-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱(chēng):

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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TO-220F
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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