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2SK3113B-ZK-E1-AY中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3113B-ZK-E1-AY
廠商型號

2SK3113B-ZK-E1-AY

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.086 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

VBSEMI

中文名稱

微碧半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-15 17:00:00

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2SK3113B-ZK-E1-AY規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SK3113B-ZK-E1-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    REN2SK3113B-ZK-E1-AY SWITCHING N-CHANNEL

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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