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2SJ605中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SJ605
廠商型號

2SJ605

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

84.08 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-5 19:19:00

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2SJ605規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The 2SJ605 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance:

RDS(on)1 = 20 m? MAX. (VGS = –10 V, ID = –33 A)

RDS(on)2 = 31 m? MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –33 A)

? Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 A)

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SJ605

  • 制造商:

    KEXIN

  • 制造商全稱:

    Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

  • 功能描述:

    MOS Field Effect Transistors

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
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