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2SJ529S

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.12?typ. ?4Vgetedrivedevices ?Highspeedswitching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ529S

Hight Speed Power Switching

Features Lowon-resistance RDS(on)=0.12typ. Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SJ529S

Silicon P Channel MOS FET

Description Highspeedpowerswitching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.12?typ. ?4Vgatedrivedevices ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ529S

Marking：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SJ529S

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

2SJ529S

Power MOSFETs;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ529STL-E

Silicon P Channel MOS FET

Description Highspeedpowerswitching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.12?typ. ?4Vgatedrivedevices ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ529STL-E

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • 封裝類型：

    DPAK(S)/TO-252

  • Nch/Pch：

    Pch

  • 通道數(shù)：

    Single

  • VDSS (V) 最大值：

    -60

  • ID (A)：

    -10

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：

    240

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：

    160

  • Ciss (pF) 典型值：

    580

  • Vgs (off) (V) 最大值：

    -2

  • VGSS (V)：

    20

  • Pch (W)：

    20

  • 應(yīng)用：

    Industrial

  • 安裝類型：

    Surface Mount

  • 訂購條件：

    Large order only

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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 詢價(jià)
更多2SJ529S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 22:26:00

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