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2SJ527(S)	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power switching MOSFET	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ527L	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.3 ?typ. ? Low drive current ? 4 V gete drive devices ? High speed switching 文件：54.17 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ527L	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.3 ?typ. ? Low drive current ? 4 V gate drive devices ? High speed switching 文件：93.96 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ527L-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.3 ?typ. ? Low drive current ? 4 V gate drive devices ? High speed switching 文件：93.96 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ605-Z-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS TO263	RENESAS 瑞薩上傳：深圳市正納電子有限公司	RENESAS

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