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2SJ506L-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SJ506L-E
廠商型號(hào)

2SJ506L-E

功能描述

Silicon P Channel MOS FET

文件大小

89.21 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
RENESAS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-2 23:00:00

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2SJ506L-E規(guī)格書詳情

* Low on-resistance

RDS(on)= 0.065 ?typ. (at V

GS = –10V, ID= –5A)

* Low drive current

* High speed switching

* 4V gate drive devices.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SJ506L-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon P Channel MOS FET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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