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2SJ506(L)/(S)

Silicon P-Channel MOS FET

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ506(L)_15

Silicon P Channel MOS FET

文件：108.68 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages

RENESAS

瑞薩

2SJ506L

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at VGS = –10V, ID= –5A) ? Low drive current ? High speed switching ? 4V gate drive devices.

文件：50.81 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ506L

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

文件：89.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

RENESAS

瑞薩

2SJ605-Z-E1

RENESAS
TO263

RENESAS

瑞薩

上傳：深圳市正納電子有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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RENESAS/瑞薩
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更多2SJ506(L)/(S)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-6 13:01:00

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