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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ325isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedfor solenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)=0.08ΩTYP.(VGS=?10V,ID=?2.0A) RDS(on)=0.15ΩTYP.(VGS=?4V,ID=?1.6A) ?LowCis | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFieldEffectPowerTransistors Features ●Lowon-stateresistance RDS(on)=83mΩ(VGS=-10V,ID=-2A) RDS(on)=0.15Ω(VGS=-4V,ID=-1.6A) ●Built-inG-SGateProtectionDiode | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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