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2SJ200-Y中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SJ200-Y
廠商型號(hào)

2SJ200-Y

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

文件大小

297.65 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 11:10:00

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2SJ200-Y規(guī)格書(shū)詳情

High Power Amplifier Application

? High breakdown voltage : VDSS = ?180 V

? High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.)

? Complementary to 2SK1529

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SJ200-Y

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET P-CH 180V 10A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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