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2SD2583-TU

絲印:D2583;Package:TO-126;TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

Features LowVce HighDCCurrentGain

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD2583

TO-126Plastic-EncapsulateTransistors

Features LowVce HighDCCurrentGain

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD2583

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighCollectorCurrent-IC=5A ?LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.15V(Max)@IC=1A,IB=50mA ?HighDCCurrentGain- :hFE=150~600@IC=1A APPLICATIONS ?Designedforaudiofrequencyamplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2583

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

2SD2674TL

ROHM
SOT-346T

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

相關(guān)企業(yè):深圳市凱美芯科技有限公司

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