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2SD2150T100R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SD2150T100R
廠商型號(hào)

2SD2150T100R

參數(shù)屬性

2SD2150T100R 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 20V 3A MPT3

功能描述

Low Frequency Transistor (20V, 3A)

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

113.77 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ROHM

中文名稱

羅姆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

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2SD2150T100R規(guī)格書詳情

特性 Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = 0.2V(Typ.)

( IC / IB = 2A / 0.1A)

2) Excellent current gain characteristics.

3) Complements the 2SB1424.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SD2150T100R

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 100mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    290MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 3A MPT3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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