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2SD2118分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SD2118
廠商型號

2SD2118

參數(shù)屬性

2SD2118 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 20V 5A CPT3

功能描述

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

絲印標識

D2118

封裝外殼

SOT-428 / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

159.27 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

ROHM

中文名稱

羅姆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-1 17:28:00

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2SD2118規(guī)格書詳情

特性 Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = 0.25V (Typ.)

(IC / IB = 4A / 0.1A)

2) Excellent DC current gain charac teristics.

3) Complements the

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436.

Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SD2118TLR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 100mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 5A CPT3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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