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2SD2114K

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2114K

Power Transistor

Features HighDCcurrentgain. Highemitter-basevoltage. LowVCE(sat).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

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羅姆羅姆半導體集團

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

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羅姆羅姆半導體集團

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High hFE&Muting Transistor; ?高hFE?靜音用表面安裝型三極管;

根據市場需求，提供從超小型到功率型的封裝，以節(jié)能高可靠性為開發(fā)理念的多種產品線。

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2114KS

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2114KT146V

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2114KT146W

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

技術參數

  • 封裝：

    SMT3

  • 包裝數量：

    3000

  • 最小獨立包裝數量：

    3000

  • 包裝形態(tài)：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Package Code：

    SOT-346

  • JEITA Package：

    SC-59

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]：

    0.2

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：

    20

  • Collector current Io(Ic) [A]：

    0.5

  • hFE：

    820 to 2700

  • hFE (Min.)：

    820

  • hFE (Max.)：

    2700

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

  • Package Size [mm]：

    2.9x2.8 (t=1.3)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ROHM/羅姆
25+
SOT-346
20300
ROHM/羅姆原裝特價2SD2114K即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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更多2SD2114K供應商 更新時間2025-7-29 16:33:00

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