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2SD2106中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SD2106
廠商型號

2SD2106

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件大小

245.14 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 9:31:00

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Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 120V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A

·High DC Current Gain

: hFE= 1000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V

APPLICATIONS

·Designed for low frequency poweramplifier applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SD2106

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Darlington Power Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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