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2SD1733分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2SD1733
廠商型號(hào)

2SD1733

參數(shù)屬性

2SD1733 封裝/外殼為T(mén)O-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A CPT3

功能描述

Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

40.43 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

KEXIN

中文名稱

科信電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-8 23:00:00

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2SD1733規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

● High VCEO, VCEO=80V .

● High IC, IC=1A (DC) .

● Good hFE linearity .

● Low VCE (sat) .

● Epitaxial planer type

● NPN silicon transistor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SD1733TLQ

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 20mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A CPT3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ROHM/羅姆
24+
NA/
5385
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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ROHM(羅姆)
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