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2SD1664T100R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
2SD1664T100R |
參數(shù)屬性 | 2SD1664T100R 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 32V 1A MPT3 |
功能描述 | Medium Power Transistor (32V, 1A) |
封裝外殼 | TO-243AA |
文件大小 |
121.53 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ROHM |
中文名稱 | 羅姆 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-9 18:05:00 |
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2SD1664T100R規(guī)格書詳情
Medium Power Transistor (32V, 1A)
特性 Features
1) Low VCE(sat) = 0.15V(Typ.)
(lC / lB = 500mA / 50mA)
2) Compliments 2SB1132 / 2SB1237
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2SD1664T100R
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
400mV @ 50mA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
180 @ 100mA,3V
- 頻率 - 躍遷:
150MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
MPT3
- 描述:
TRANS NPN 32V 1A MPT3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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