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2SD1664

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor

Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1664

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) *Complementthe2SB1132.

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1664

MediumPowerTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SD1664

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1664

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(typ.) (IC/iB=500mA/50mA) PC=0.5W Complementthe2SB1132. APPLICATIONS NPNsilicontransistor.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD1664

GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICONEPITAXIALMEDIUMPOWERTRANSISTOR

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ROHM
14+無(wú)鉛
SOT-89
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多2SD1664-R供應(yīng)商 更新時(shí)間2023-6-8 12:14:00

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