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| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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NPNSiliconGeneralPurposeTransistor Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
MediumPowerTransistor Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132 | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
MediumPowerTransistor(32V,1A) | ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團 | ROHM | ||
MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) *Complementthe2SB1132. | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
MediumPowerTransistor(32V,1A) MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237 | ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團 | ROHM | ||
Plastic-EncapsulateTransistors | HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司 | HOTTECH | ||
TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳實業(yè)有限公司 | WINNERJOIN | ||
TRANSISTOR(NPN) FEATURES LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complementsto2SB1132 | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司 | HTSEMI | ||
MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
NPNEpitaxialPlanarTransistors Features: *LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) | WEITRON Weitron Technology | WEITRON |
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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