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2SD1207S-AE分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SD1207S-AE
廠商型號

2SD1207S-AE

參數屬性

2SD1207S-AE 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線);包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP

功能描述

Large-Current Switching Applications
TRANS NPN 50V 2A 3MP

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)

文件大小

97.06 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-7 8:30:00

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2SD1207S-AE規(guī)格書詳情

2SD1207S-AE屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的2SD1207S-AE晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

特性 Features

? FBET and MBIT processed

? Low saturation voltage

? Large current capacity and wide SOA

Applications

? Power supplies, relay drivers, lamp drivers, and automotive wiring

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    2SD1207S-AE

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 50mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)

  • 供應商器件封裝:

    3-MP

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 2A 3MP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SANYO
18+
TO-92L
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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24+
NA/
5250
原裝現貨,當天可交貨,原型號開票
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25+
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TO-92L
21+
TO-92L
1480
原裝現貨假一賠十
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TO-92L
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