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2SCR583D3FRA

PNP, TO-252 (DPAK), 50V 7A, 車載用 功率晶體管 (符合AEC-Q101標準); ? Suitable for Power Driver.\n? Complementary PNP Types : 2SAR583D3FRA.\n? Low VCE(sat) VCE(sat)=350mV(Max.). (IC/IB=3A/150mA)\n;

2SCR583D3FRA是一款低VCE(sat)的功率晶體管,是非常適用于低頻放大應(yīng)用的車規(guī)級高可靠性晶體管。

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SCR583D3FRA

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2scr583d3/marking.html">2SCR583D3;Package:TO-252;NPN 7A 50V Power Transistor

Features 1)SuitableforPowerDriver. 2)ComplementaryPNPTypes:2SAR583D3FRA. 3)LowVCE(sat) VCE(sat)=350mV(Max.).(IC/IB=3A/150mA) Application LOWFREQUENCYAMPLIFIER

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SCR583D3FRATL

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, POWE

ETC

ETC

2SCR583D3

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-emitterbreakdownvoltage :BVCEO=50V(Min) ·HighDCCurrentGain :hFE=180-450@(VCE=3V,IC=1A) ·LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.35V(Max)@(IC=3A,IB=0.15A) ·ComplementtoType2SAR583D3 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandrel

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SCR583D3

NPN7A50VPowerTransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

技術(shù)參數(shù)

  • 封裝:

    TO-252

  • 包裝數(shù)量:

    2500

  • 最小獨立包裝數(shù)量:

    2500

  • 包裝形態(tài):

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Supply Status:

    Recommended

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]:

    10

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    50

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    7

  • hFE:

    180 to 450

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    6.6x10.0 (t=2.3)

  • Common Standard:

    AEC-Q101 (Automotive Grade)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NK/南科功率
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多2SCR583D3FRA供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 14:13:00