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2SC6026MFV分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2SC6026MFV |
| 參數屬性 | 2SC6026MFV 封裝/外殼為SOT-723；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 50V 0.15A VESM |
| 功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 封裝外殼 | SOT-723 |
| 文件大小 |
254.82 Kbytes |
| 頁面數量 |
4 頁 |
| 生產廠商 | TOSHIBA |
| 中文名稱 | 東芝 |
| 網址 | |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-12 23:01:00 |
| 人工找貨 | 2SC6026MFV價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨 |
2SC6026MFV規(guī)格書詳情
General-Purpose Amplifier Applications
? High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max)
? Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)
? High hFE : hFE = 120 to 400
? Complementary to 2SA2154MFV
產品屬性
- 產品編號：
2SC6026MFV-Y,L3F
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，6V
- 頻率 - 躍遷：
60MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-723
- 供應商器件封裝：
VESM
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
NA/ |
2598 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT723 |
8000 |
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詢價 | ||
Toshiba |
23+ |
N/A |
152000 |
公司只有原裝正品 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
25+ |
SOT723 |
32000 |
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TOSHIBA/東芝 |
24+ |
SOT723 |
880000 |
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詢價 | ||
TOSHIBA(東芝) |
23+ |
NA |
20094 |
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詢價 | ||
TOSHIBA |
24+/25+ |
24000 |
原裝正品現貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
TOSHIBA/東芝 |
0543+ |
S0T-723 |
6888 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
21+ |
SOT723 |
249939 |
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