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2SC5810中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SC5810
廠商型號

2SC5810

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

文件大小

134.13 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 16:52:00

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2SC5810規(guī)格書詳情

High-Speed Switching Applications

DC-DC Converter Applications

Strobe Applications

? High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A)

? Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.17 V (max)

? High-speed switching: tf = 85 ns (typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SC5810

  • 功能描述:

    MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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