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2SC5752分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC5752
廠商型號

2SC5752

參數(shù)屬性

2SC5752 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR

絲印標識

R55

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

文件大小

224.86 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 12:00:00

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2SC5752規(guī)格書詳情

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW)

4-PIN SUPER MINIMOLD

FEATURES

? Ideal for medium output power amplification

? PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm

? HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted

? High reliability through use of gold electrodes

? 4-pin super minimold package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC5752-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    12GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.7dB @ 2GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 30mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應商器件封裝:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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