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2SC5751-T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
2SC5751-T2 |
參數(shù)屬性 | 2SC5751-T2 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F |
功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | SOT-343F |
文件大小 |
216.99 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | RENESAS |
中文名稱 | 瑞薩 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-10 12:00:00 |
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更多2SC5751-T2規(guī)格書詳情
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (30 mW)
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD
FEATURES
? Ideal for medium output power amplification
? PO (1 dB) = 15.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 1 dBm
? HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted
? High reliability through use of gold electrodes
? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2SC5751-T2-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
6V
- 頻率 - 躍遷:
15GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.7dB @ 2GHz
- 增益:
16dB
- 功率 - 最大值:
205mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
75 @ 20mA,3V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
50mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-343F
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-343F
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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