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2SC5712(TE12L,F)

Package：TO-243AA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 50V 3A PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5712

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages

TOSHIBA

東芝

2SC5712

High-Speed Switching Applications

文件：169.97 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages

TOSHIBA

東芝

2SC5712

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Converter Applications ? High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A) ? Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max) ? High-speed switching: tf = 120 ns (typ.)

文件：182.2 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages

TOSHIBA

東芝

2SC5754-T2-A

RENESAS
SOT343

RENESAS

瑞薩

上傳：深圳市正納電子有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC5712(TE12L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    140mV @ 20mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    400 @ 300mA，2V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PW-MINI

  • 描述：

    TRANS NPN 50V 3A PW-MINI

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA
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NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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更多2SC5712(TE12L,F)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-9 9:11:00

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