2SC5606中文資料NPN Silicon Rf Transistor For Low Noise · High-Gain Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 Pkg)數(shù)據(jù)手冊Renesas規(guī)格書
| 廠商型號 |
2SC5606 |
| 參數(shù)屬性 | 2SC5606 封裝/外殼為SOT-523；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 |
| 功能描述 | NPN Silicon Rf Transistor For Low Noise · High-Gain Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 Pkg) |
| 封裝外殼 | SOT-523 |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名稱 | 瑞薩 瑞薩科技有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-12 17:30:00 |
| 人工找貨 | 2SC5606價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
2SC5606規(guī)格書詳情
描述 Description
The 2SC5606 is a NPN Silicon Rf Transistor For Low Noise · High-Gain Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 Pkg).
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號：
2SC5606-T1-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
3.3V
- 頻率 - 躍遷：
21GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
1.2dB @ 2GHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
115mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，2V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-523
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-523
- 描述：
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOT-523 |
23+ |
NA |
15659 |
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詢價 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-523 |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價 | ||
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SOT423 |
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SOT-523 |
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SOT323 |
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