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2SC5551AE-TD-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2SC5551AE-TD-E |
| 參數(shù)屬性 | 2SC5551AE-TD-E 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP |
| 功能描述 | RF Transistor |
| 封裝外殼 | TO-243AA |
| 文件大小 |
299.98 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-20 23:01:00 |
| 人工找貨 | 2SC5551AE-TD-E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多2SC5551AE-TD-E規(guī)格書詳情
2SC5551AE-TD-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2SC5551AE-TD-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
特性 Features
? High fT : (fT=3.5GHz typ)
? Large current : (IC=300mA)
? Large allowable collector dissipation (1.3W max)
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
2SC5551AE-TD-E
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
30V
- 頻率 - 躍遷：
3.5GHz
- 功率 - 最大值：
1.3W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 50mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
300mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
PCP
- 描述：
RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ON(安森美) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
12029 |
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障 |
詢價 | ||
SANYO/三洋 |
22+ |
SOT-89 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
10267 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
一級代理原裝正品,價格優(yōu)勢,長期供應(yīng)! |
詢價 | |||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
SANYO/三洋 |
23+ |
SOT-89 |
4550 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原裝正品,力挺實單 |
詢價 | ||
SANYO |
23+ |
SMD |
50000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
N/A |
2447 |
SMD |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 |
