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2SC5551中文資料NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI規(guī)格書

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廠商型號

2SC5551

參數(shù)屬性

2SC5551 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications
RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

封裝外殼

TO-243AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-12 16:51:00

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2SC5551規(guī)格書詳情

簡介

2SC5551屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由制造生產(chǎn)的2SC5551晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2SC5551AF-TD-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    30V

  • 頻率 - 躍遷:

    3.5GHz

  • 功率 - 最大值:

    1.3W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    135 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    300mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PCP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NK/南科功率
2025+
SOT-89
986966
國產(chǎn)
詢價(jià)
SANYO
2024
SOT89
13500
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
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onsemi
25+
TO-243AA
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6000
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19
SOT-89
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24+
60000
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13302
公司只做原裝正品,假一賠十
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ON
22+
TO-220-3
50000
原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)
詢價(jià)
SANYO/三洋
23+
SOT-89
4550
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳
詢價(jià)