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2SC5501中文資料NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications數(shù)據(jù)手冊ONSEMI規(guī)格書

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廠商型號

2SC5501

參數(shù)屬性

2SC5501 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-12 20:00:00

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2SC5501規(guī)格書詳情

簡介

2SC5501屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由制造生產(chǎn)的2SC5501晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2SC5501A-4-TR-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1dB @ 1GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 20mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應商器件封裝:

    4-MCP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SANYO/三洋
24+
NA/
6250
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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SOT-343
23+
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6000
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原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道??商峁┐罅繋齑?詳
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SANYO
24+
SOT343
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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原裝正品,假一罰十
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