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2SC5245A-4-TL-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC5245A-4-TL-E
廠商型號

2SC5245A-4-TL-E

參數(shù)屬性

2SC5245A-4-TL-E 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP

功能描述

RF Transistor 10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single MCP
RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

349.84 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-9 17:33:00

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2SC5245A-4-TL-E規(guī)格書詳情

2SC5245A-4-TL-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2SC5245A-4-TL-E晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

特性 Features

? Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz)

: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz)

? High gain : ?S21e?2=10dB typ (f=1.5GHz)

? High cut-off frequency : fT=8GHz typ

? Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA)

: fT=3.5GHz typ

: ?S21e?2=5.5dB typ (f=1.5GHz)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2SC5245A-4-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 10mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-MCP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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