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2SC5200RTU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

2SC5200RTU

Marking：C5200R；Package：TO-264；NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features ?HighCurrentCapability:IC=17A. ?HighPowerDissipation:150watts. ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1943/FJL4215. ?ThermalandelectricalSpicemodelsareav

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2SC5200RTU

Package：TO-264-3，TO-264AA；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 250V 17A TO264-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2SC5200

HighpowerNPNepitaxialplanarbipolartransistor

Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=230V ■TypicalfT=30MHz Application ■Audiopoweramplifier Description ThisdeviceisaNPNtransistormanufactured usingnewBiT-LA(bipolartransistorforlinear amplifier)technology.Theresultingtransistor showsgoodgainlinearityb

SYC

SYC Electronica

2SC5200

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SC5200

NPNEpitaxialSiliconTransistor

Features ?HighCurrentCapability:IC=17A. ?HighPowerDissipation:150watts. ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=250V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?ExcellentGainLinearityforlowTHD. ?Complementto2SA1943/FJL4215. ?ThermalandelectricalSpicemodelsareav

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2SC5200

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC5200

HighpowerNPNepitaxialplanarbipolartransistor

Description ThisdeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=230V ■TypicalfT=30MHz Application ■Audiopoweramplif

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

2SC5200

SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SC5200

SiliconNPNTripleDiffusedTransistor

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC5200RTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 800mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    5μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    55 @ 1A，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 工作溫度：

    -50°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-264-3

  • 描述：

    TRANS NPN 250V 17A TO264-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD
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原裝原廠代理 可免費送樣品
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Fairchild
24+
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352
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NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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37930
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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原裝正品現(xiàn)貨
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更多2SC5200RTU供應商 更新時間2025-7-22 15:08:00

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