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2SC4793分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SC4793
廠商型號

2SC4793

參數(shù)屬性

2SC4793 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

122.33 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-12 17:52:00

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2SC4793規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 230V(Min)

? High Current-Gain Bandwidth Product

? Complement to Type 2SA1837

APPLICATIONS

? Power amplifier applications.

? Driver stage amplifier applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC4793(LBSAN,F,M)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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