首頁 >2SC3357-T1-A>規(guī)格書列表
零件型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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2SC3357-T1-A | NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION | CEL California Eastern Labs | CEL | |
2SC3357-T1-A | Package:TO-243AA;包裝:托盤 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 | CEL California Eastern Labs | CEL | |
NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION3-PINPOWERMINIMOLD FEATURES ?Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1GHz ?Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz ?LargePtot:Ptot=1.2W(Mountedon16cm2× | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
RENESAS | RENESAS | |||
TOSHIBA | TOSHIBA |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2SC3357-T1-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
6.5GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.8dB @ 1GHz
- 增益:
10dB
- 功率 - 最大值:
1.2W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 20mA,10V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-243AA
- 供應商器件封裝:
SOT-89
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
SOT89 |
250000 |
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詢價 | ||
Renesas(瑞薩) |
24+ |
標準封裝 |
17048 |
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詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
25+ |
SOT89 |
44705 |
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RENESAS |
12+10+ |
SOT-89 RF |
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Renesas(瑞薩) |
23+ |
原廠封裝 |
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NEC |
24+ |
SOT89 |
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RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
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詢價 | ||
Renesas(瑞薩) |
24+ |
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div> |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SOT-89 |
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NEC |
2016+ |
SMD |
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